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Fowler-Nordheim tunneling characterization on Poly1-Poly2 capacitors for the implementation of analog memories in CMOS 0.5 𝜇m technology | 142 |
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Fowler-Nordheim tunneling characterization on Poly1-Poly2 capacitors for the implementation of analog memories in CMOS 0.5 𝜇m technology | 3 | 11 | 1 | 1 | 3 | 0 | 0 |
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632785.pdf | 168 |
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Estados Unidos | 37 |
México | 31 |
Alemania | 23 |
Rusia | 8 |
Canadá | 4 |
China | 3 |
Reino Unido | 3 |
Suecia | 3 |
Chequia | 2 |
Filipinas | 2 |
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Kiez | 20 |
Mexico | 10 |
Oakland | 5 |
Secaucus | 5 |
Palo Alto | 4 |
Toronto | 4 |
Washington | 4 |
Toluca | 3 |
Wilmington | 3 |
Beijing | 2 |